ALLIANCE MEMORY
· Интегральные микросхемы
ALLIANCE MEMORY AS4C4M16SA-6BIN — Памяти DRAM - микросхемы
MPN / артикул: AS4C4M16SA-6BIN
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
Тип микросхемы: память DRAM · Монтаж: SMD · Корпус: FBGA54 · Тип товара: Памяти DRAM - микросхемы · Рабочее напряжение: 3,3 В
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
ALLIANCE MEMORY AS4C4M16SA-6BIN. Категория: «Памяти DRAM - микросхемы».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — FBGA54; Рабочее напряжение — 3,3 В.
Тип микросхемы — память DRAM; Вид памяти — SDRAM; Структура памяти — 4Mx16бит; Время доступа — 5,4нс.
Тактовая частота — 166МГц; Память — 64Мб DRAM.
Перед заказом проверьте артикул AS4C4M16SA-6BIN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память DRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- FBGA54
- Рабочее напряжение
- 3,3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AS4C4M16SA-6BIN
Материалы
Документация
Техническое описание: Alliance Selection Guide Print2025EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
