ALLIANCE MEMORY
· Интегральные микросхемы
ALLIANCE MEMORY AS4C32M16D1A-5TIN — Памяти DRAM - микросхемы
MPN / артикул: AS4C32M16D1A-5TIN
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
Тип микросхемы: память DRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP66 II · Тип товара: Памяти DRAM - микросхемы · Рабочее напряжение: 2,5 В
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
ALLIANCE MEMORY AS4C32M16D1A-5TIN. Категория: «Памяти DRAM - микросхемы».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TSOP66 II; Рабочее напряжение — 2,5 В.
Тип микросхемы — память DRAM; Вид памяти — DDR1; SDRAM; Структура памяти — 32Mx16бит; Тактовая частота — 200МГц.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 512Мб DRAM.
Перед заказом проверьте артикул AS4C32M16D1A-5TIN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память DRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP66 II
- Рабочее напряжение
- 2,5 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AS4C32M16D1A-5TIN
Материалы
Документация
Техническое описание: Alliance Selection Guide Print2025EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
