ALLIANCE MEMORY
· Интегральные микросхемы
ALLIANCE MEMORY AS4C1M16S-6TIN — Памяти DRAM - микросхемы
MPN / артикул: AS4C1M16S-6TIN
IC: память DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II
Тип микросхемы: память DRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP50 II · Тип товара: Памяти DRAM - микросхемы · Рабочее напряжение: 3,3 В
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
ALLIANCE MEMORY AS4C1M16S-6TIN. Категория: «Памяти DRAM - микросхемы».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TSOP50 II; Рабочее напряжение — 3,3 В.
Тип микросхемы — память DRAM; Вид памяти — SDRAM; Структура памяти — 1Mx16бит; Время доступа — 5,4нс.
Тактовая частота — 166МГц; Виды интерфейса — параллельный; Память — 16Мб DRAM.
Перед заказом проверьте артикул AS4C1M16S-6TIN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память DRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP50 II
- Рабочее напряжение
- 3,3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AS4C1M16S-6TIN
Материалы
Документация
Техническое описание: Alliance Selection Guide Print2025EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
