ALLIANCE MEMORY
· Интегральные микросхемы
ALLIANCE MEMORY AS4C128M16D3LC-12BIN — Памяти DRAM - микросхемы
MPN / артикул: AS4C128M16D3LC-12BIN
IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток
Тип микросхемы: память DRAM · Монтаж: SMD · Корпус: FBGA96 · Тип товара: Памяти DRAM - микросхемы · Рабочее напряжение: 1,35 В
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
ALLIANCE MEMORY AS4C128M16D3LC-12BIN. Категория: «Памяти DRAM - микросхемы».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...95°C; Корпус — FBGA96; Рабочее напряжение — 1,35 В.
Тип микросхемы — память DRAM; Вид памяти — DDR3L; SDRAM; Структура памяти — 128Мx16бит; Время доступа — 13,75нс.
Тактовая частота — 800МГц; Память — 2Гб DRAM.
Перед заказом проверьте артикул AS4C128M16D3LC-12BIN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память DRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- FBGA96
- Рабочее напряжение
- 1,35 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AS4C128M16D3LC-12BIN
Материалы
Документация
Техническое описание: Alliance Selection Guide Print2025EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
