Электронные компоненты и промышленное оборудование

MGC75D12A1-251H3, Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В

MGC75D12A1-251H3, Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В
MGC75D12A1-251H3, Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В
MGC75D12A1-251H3, Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В
MGC75D12A1-251H3, Полумоcтовой модуль IGBT 150А 1200В
Артикул:MGC75D12A1-251H3
Полумостовой IGBT-модуль MGC75D12A1-251H3 на 150А и 1200В обеспечивает высокую эффективность и надежность в инверторах и приводах, снижая потери и улучшая теплоотвод для стабильной работы под нагрузкой.
Все описание
2 590
В наличии
В корзине
+7 (958) 623-59-59 (WhatsApp)
8-800-350-57-63
sales@prom-elec.com
Обратная связь

Описание полумостового модуля IGBT MGC75D12A1-251H3

Полумостовой модуль IGBT MGC75D12A1-251H3 предназначен для работы с током до 150 А и напряжением 1200 В, что обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых преобразователях. Модуль выполнен с использованием современных IGBT-транзисторов, обеспечивающих низкие потери при переключении и высокую скорость отклика.

Конструкция модуля оптимизирована для применения в инверторах, приводах и системах управления электродвигателями, где требуется стабильная работа при высоких нагрузках. Надежное теплоотведение и компактные габариты способствуют удобству интеграции в различные электротехнические схемы.

Артикул: MGC75D12A1-251H3.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.

Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.