IHW30N160R2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

Биполярный транзистор IGBT IHW30N160R2FKSA1 предназначен для работы при напряжении до 1600 В и токе до 30 А, обеспечивая мощность рассеяния до 310 Вт. Высокая коммутационная скорость и низкие потери делают эту модель оптимальным выбором для силовой электроники и преобразовательных устройств. Конструкция транзистора обеспечивает надежную работу в условиях повышенных нагрузок и температур, что гарантирует стабильность и долговечность эксплуатации.

Модель IHW30N160R2FKSA1 отличается улучшенными параметрами переключения и высокой эффективностью, что способствует снижению энергопотерь и повышению общей производительности систем. Компактный корпус и точные электрические характеристики позволяют легко интегрировать транзистор в различные схемы управления мощностью.