GD75PIY120C6S, IGBT модуль 1200B 75А
IGBT модуль GD75PIY120C6S – 1200 В, 75 А
Модуль GD75PIY120C6S представляет собой высокоэффективный IGBT транзистор с номинальным напряжением 1200 В и максимальным током 75 А. Данное устройство обеспечивает надежную работу в силовых преобразователях и инверторах, гарантируя низкие потери и высокую скорость переключения.
Конструкция модуля оптимизирована для улучшенного теплового отвода, что повышает долговечность и стабильность работы при высоких нагрузках. GD75PIY120C6S подходит для применения в промышленной автоматике, электроприводах и системах управления мощностью.
Ключевые характеристики:
- Номинальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток: 75 А
- Тип: IGBT модуль
GD75PIY120C6S обеспечивает высокую надежность и эффективность, что делает его оптимальным выбором для современных силовых электронных систем.
Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.
