FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

Описание биполярного транзистора IGBT FS75R12KE3BOSA1

Модель FS75R12KE3BOSA1 представляет собой высокоэффективный биполярный транзистор IGBT с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и максимальным непрерывным током коллектора 105 А. Устройство выполнено в корпусе EconoPACK 2 и рассчитано на максимальное рассеяние мощности до 350 Вт, что обеспечивает надежную работу в промышленных и силовых приложениях.

Транзистор поддерживает трехфазную конфигурацию и предназначен для монтажа на печатную плату. Рабочий температурный диапазон от -40 °C до +125 °C позволяет использовать его в различных климатических условиях. Размеры изделия составляют 107.5 x 45 x 17 мм, вес — 180 г, что обеспечивает удобство интеграции в системы с ограниченным пространством.

Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В и N-канальный тип канала обеспечивают высокую скорость переключения и низкие потери при работе на частотах до 60 кГц. FS75R12KE3BOSA1 оптимален для применения в инверторах, промышленных приводах и источниках бесперебойного питания.