FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

Описание биполярного транзистора IGBT FP75R12KE3BOSA1

FP75R12KE3BOSA1 — высокоэффективный биполярный транзистор IGBT с максимальным коллекторно-эмиттерным напряжением 1200 В и максимальным непрерывным током коллектора 105 А. Модель оснащена трехфазной конфигурацией и предназначена для монтажа на панель в корпусе AG-ECONO3-3. Максимальное рассеяние мощности составляет 355 Вт, что обеспечивает надежную работу при нагрузках высокой мощности.

Диапазон рабочих температур от -40 °C до +125 °C позволяет использовать модуль в различных промышленных и энергетических приложениях. Размеры устройства — 122 x 62 x 17 мм, вес — 180 г. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В, тип канала — N. FP75R12KE3BOSA1 оптимален для применения в инверторах, источниках бесперебойного питания и промышленных приводах, обеспечивая низкие потери при переключении и высокую надежность.