FP25R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт

Описание FP25R12W2T4BOMA1

Биполярный транзистор IGBT FP25R12W2T4BOMA1 представляет собой модуль трехфазного инвертора с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и максимальным током коллектора 39 А. Устройство рассчитано на мощность до 175 Вт и обеспечивает надежную работу в диапазоне температур от -40°C до +150°C. Модуль оснащен встроенным NTC термистором для контроля температуры и выполнен в корпусе для монтажа на шасси.

Максимальное напряжение насыщения Vce(on) составляет 2,25 В при Vge 15 В и токе 25 А, что обеспечивает эффективное управление и минимальные потери. Входная емкость Cies равна 1,45 нФ при напряжении 25 В. Модуль поставляется в упаковке Bulk и соответствует требованиям REACH, не подвержен воздействию влаги (MSL не применяется).

FP25R12W2T4BOMA1 идеально подходит для применения в силовой электронике, обеспечивая высокую надежность и стабильность работы в промышленных инверторах и преобразователях частоты.