Электронные компоненты и промышленное оборудование

FF300R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А

FF300R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
FF300R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
FF300R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
FF300R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Артикул:FF300R12ME4BOSA1
Биполярный транзистор IGBT FF300R12ME4BOSA1 1200В, 300А обеспечивает высокую надежность, низкие потери и эффективное теплоотведение для стабильной работы в силовых преобразователях и электроприводах.
Все описание
20 330
В наличии
В корзине
+7 (958) 623-59-59 (WhatsApp)
8-800-350-57-63
sales@prom-elec.com
Обратная связь

Описание биполярного транзистора IGBT FF300R12ME4BOSA1

FF300R12ME4BOSA1 — высоконадежный биполярный транзистор IGBT с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и максимальным током 300 А. Данная модель обеспечивает эффективное управление мощностью в силовых преобразователях и инверторах, сочетая низкие потери и высокую скорость переключения. Транзистор выполнен в корпусе, обеспечивающем оптимальное теплоотведение и надежную эксплуатацию в промышленных условиях.

Технические характеристики FF300R12ME4BOSA1 включают высокую коммутационную прочность и устойчивость к перегрузкам, что делает его идеальным выбором для применения в системах электропривода и источниках питания. Устройство совместимо с современными схемами управления и отличается стабильной работой при длительных нагрузках.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.

Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.