FF300R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт

Описание биполярного транзистора IGBT FF300R12KE3HOSA1

Модуль IGBT FF300R12KE3HOSA1 от Infineon представляет собой высокоэффективный биполярный транзистор с изолированным затвором, рассчитанный на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В и максимальный непрерывный ток коллектора 440 А. Максимальное рассеяние мощности достигает 1,45 кВт, что обеспечивает надежную работу при высоких нагрузках.

Устройство выполнено в корпусе AG-62MM-1 с размерами 106.4 x 61.4 x 30.9 мм и весом 340 г. Диапазон рабочих температур от -40 °C до +125 °C позволяет использовать модуль в различных промышленных и силовых применениях. Тип канала – N, максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В. Монтаж осуществляется на панель, что упрощает интеграцию в системы управления и преобразования энергии.