FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

Описание биполярного транзистора IGBT FF200R12KE3HOSA1

Модель FF200R12KE3HOSA1 представляет собой высокоэффективный биполярный транзистор IGBT с номинальным напряжением 1200 В и максимальным током 200 А. Устройство рассчитано на мощность до 1050 Вт, что обеспечивает надежную работу в силовых преобразователях и инверторах. Транзистор обладает низким уровнем потерь и высокой скоростью переключения, что способствует повышению общей эффективности электронных систем.

FF200R12KE3HOSA1 выполнен в корпусе, обеспечивающем оптимальное теплоотведение и долговечность при эксплуатации в условиях повышенных нагрузок. Данная модель подходит для применения в промышленной автоматике, электроприводах и системах управления мощностью, где требуется стабильная работа при высоких токах и напряжениях.