FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Описание FF150R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT FF150R12RT4HOSA1 предназначен для высокоэффективного управления мощностью в промышленных и силовых приложениях. Модуль содержит 2 ключа с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и рабочим током 150 А при температуре 25°C, что обеспечивает надежную работу в условиях высоких нагрузок. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 790 Вт, что позволяет использовать устройство в системах с интенсивным тепловыделением.

Вес модуля — 160 г, что способствует удобству монтажа и интеграции в различные схемы. Высокая коммутационная скорость и устойчивость к перегрузкам делают FF150R12RT4HOSA1 оптимальным выбором для преобразователей частоты, инверторов и систем управления электродвигателями.