Электронные компоненты и промышленное оборудование

FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Артикул:FF100R12RT4HOSA1
IGBT Infineon FF100R12RT4HOSA1 – мощный транзистор 1200В, 100А с высокой рассеиваемой мощностью 555Вт. Надежен при температурах от -40 до +150°C, корпус AG-34MM-1 для монтажа на панель.
Все описание
7 680
В наличии
В корзине
+7 (958) 623-59-59 (WhatsApp)
8-800-350-57-63
sales@prom-elec.com
Обратная связь

Описание биполярного транзистора IGBT FF100R12RT4HOSA1

Модель FF100R12RT4HOSA1 представляет собой биполярный транзистор IGBT с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и рабочим током до 100 А при температуре 25°C. Устройство выполнено в корпусе AG-34MM-1 с габаритами 94 x 34 x 30.2 мм и весом 160 г, предназначено для монтажа на панель.

Транзистор имеет конфигурацию серии с двумя ключами в модуле, максимальную рассеиваемую мощность 555 Вт и выдерживает рабочие температуры от -40 °C до +150 °C. Максимальное напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В, канал типа N. Данная модель обеспечивает надежную работу в силовых схемах с высокими нагрузками и температурными режимами.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.

Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.