FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Артикул:FF100R12RT4HOSA1

IGBT Infineon FF100R12RT4HOSA1 – мощный транзистор 1200В, 100А с высокой рассеиваемой мощностью 555Вт. Надежен при температурах от -40 до +150°C, корпус AG-34MM-1 для монтажа на панель.

Все описание

Категории:

Электронные компоненты

По запросу

7 680 ₽0 ₽

В наличии

+7958-623-59-59 (WhatsApp, Telegram, Max)

8-800-350-57-63

sales@prom-elec.com

Обратная связь

Информация о доставке

Эль-Монте

Способ доставки

Служба доставки СДЭК

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Описание биполярного транзистора IGBT FF100R12RT4HOSA1

Модель FF100R12RT4HOSA1 представляет собой биполярный транзистор IGBT с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и рабочим током до 100 А при температуре 25°C. Устройство выполнено в корпусе AG-34MM-1 с габаритами 94 x 34 x 30.2 мм и весом 160 г, предназначено для монтажа на панель.

Транзистор имеет конфигурацию серии с двумя ключами в модуле, максимальную рассеиваемую мощность 555 Вт и выдерживает рабочие температуры от -40 °C до +150 °C. Максимальное напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В, канал типа N. Данная модель обеспечивает надежную работу в силовых схемах с высокими нагрузками и температурными режимами.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.

Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.