Зарегистрируйтесь, чтобы делать покупки, отслеживать заказы и пользоваться персональными скидками и баллами.
Модель FF100R12RT4HOSA1 представляет собой биполярный транзистор IGBT с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и рабочим током до 100 А при температуре 25°C. Устройство выполнено в корпусе AG-34MM-1 с габаритами 94 x 34 x 30.2 мм и весом 160 г, предназначено для монтажа на панель.
Транзистор имеет конфигурацию серии с двумя ключами в модуле, максимальную рассеиваемую мощность 555 Вт и выдерживает рабочие температуры от -40 °C до +150 °C. Максимальное напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В, канал типа N. Данная модель обеспечивает надежную работу в силовых схемах с высокими нагрузками и температурными режимами.
Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.