- Полупроводники
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 112мм; H: 80мм; 0,76К/Вт
Товары с точной идентификацией производителя и артикула. Цена, доступность и срок поставки зависят от выбранного товара.
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 112мм; H: 80мм; 0,76К/Вт
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 112мм; H: 80мм; 0,76К/Вт
Радиатор: штампованный; L: 110мм; W: 18мм; H: 52мм; 4К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 76мм; W: 46мм; H: 33мм; 2,85К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 45мм; H: 80мм; 1,85К/Вт
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 45мм; H: 80мм; 1,85К/Вт
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 45мм; H: 55мм; 2,2К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 45мм; H: 55мм; 2,2К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 50мм; W: 80мм; H: 51мм; 3,5К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 110мм; W: 22,5мм; H: 90мм; 2К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 110мм; W: 72мм; H: 75мм; 1,1К/Вт; алюминий
Радиатор: штампованный; L: 103мм; W: 90мм; H: 80мм; 0,97К/Вт
IC: память EEPROM; параллельный; 512кбEEPROM; 64Кx8бит; 5В; SMD
IC: память EEPROM; параллельный; 256кбEEPROM; 32Кx8бит; 3÷3,6В
IC: память EEPROM; параллельный; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 3÷3,6В; SMD
IC: память EEPROM; параллельный; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 3÷3,6В; SMD
IC: память EEPROM; параллельный; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 3÷3,6В; SMD
IC: память EEPROM; параллельный; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 3÷3,6В; SMD
Модуль: LTE; Down: 10Мбит/с; Up: 5Мбит/с; LGA; SMD; GNSS,LTE CAT1
Модуль: LTE; Down: 150Мбит/с; Up: 50Мбит/с; LGA; SMD; GNSS,LTE CAT4
Модуль: LTE; Down: 5Мбит/с; Up: 10Мбит/с; mPCIe; 2G,GNSS,LTE CAT1
Модуль: LTE; Down: 5Мбит/с; Up: 10Мбит/с; LGA; SMD; 2G,GNSS,LTE CAT1
Модуль: LTE; Down: 10Мбит/с; Up: 5Мбит/с; LGA; SMD; 2G,GNSS,LTE CAT1
Модуль: LTE; Down: 5Мбит/с; Up: 10Мбит/с; LGA; SMD; GNSS,LTE CAT1bis
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.