- Интегральные микросхемы
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
Товары с точной идентификацией производителя и артикула. Цена, доступность и срок поставки зависят от выбранного товара.
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 200МГц; 4,5нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 7нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.