- Интегральные микросхемы
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
Товары с точной идентификацией производителя и артикула. Цена, доступность и срок поставки зависят от выбранного товара.
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; бобина
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; бобина
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; бобина
IC: память DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; лоток
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: память DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.