Электронные компоненты и промышленное оборудование

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
Артикул:BSM75GB120DN2
BSM75GB120DN2 — мощный IGBT-транзистор Infineon с высокой скоростью переключения и низкими потерями, вес 250 г. Идеален для инверторов и систем управления электродвигателями, обеспечивает надежность и эффективность.
Все описание
9 980
В наличии
В корзине
+7 (958) 623-59-59 (WhatsApp)
8-800-350-57-63
sales@prom-elec.com
Обратная связь

Описание биполярного транзистора IGBT BSM75GB120DN2

BSM75GB120DN2 — высокоэффективный биполярный транзистор IGBT, предназначенный для работы в силовых электронных схемах с мощностью до 625 Вт. Устройство обеспечивает надежное переключение и высокую скорость коммутации, что делает его оптимальным выбором для инверторов, приводов и систем управления электродвигателями.

Транзистор имеет корпус с массой 250 г, что гарантирует стабильность и долговечность при эксплуатации в различных условиях. Модель отличается низким уровнем потерь и высокой термостойкостью, что повышает общую эффективность и надежность работы оборудования.

Артикул: BSM75GB120DN2.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.

Помогите другим пользователям с выбором - будьте первым, кто поделится своим мнением об этом товаре.