BSM50GX120DN2BOSA1, Биполярный транзистор IGBT

Описание биполярного транзистора IGBT BSM50GX120DN2BOSA1

Модуль BSM50GX120DN2BOSA1 представляет собой высокоэффективный биполярный транзистор IGBT с 7 ключами, предназначенный для применения в силовой электронике. Вес устройства составляет 185 грамм, что обеспечивает оптимальное соотношение массы и надежности. Конструкция модуля обеспечивает стабильную работу при высоких нагрузках и повышенной температуре, что делает его идеальным выбором для промышленных преобразователей и систем управления двигателями.

Данный модуль отличается высокой коммутационной скоростью и низкими потерями, что способствует повышению общей энергоэффективности оборудования. BSM50GX120DN2BOSA1 обеспечивает надежную защиту и долговечность в условиях интенсивной эксплуатации, что подтверждается техническими характеристиками и качеством сборки.